通过低压化学气相沉积制备氧化硅薄膜（正硅酸乙酯）

TEOS是正硅酸乙酯Si(OCH₂CH₃)₄的简写. TEOS分子是正方体结构.它在室温下是无色液体,味道接近酒精味道.它的沸点是169℃,但在45℃就可以蒸发.它的蒸汽压力在室温下是1.5Torr. 它是具有易燃性,吸入其蒸汽可致中毒.其蒸气或雾对眼睛、皮肤、粘膜和呼吸道有刺激作用,接触后能引起头痛、恶心和呕吐.慢性挥发会伤及内脏,如肝脏,血液,肾和肺.

关于TEOS 低压气相沉积工艺,蒸汽可以通过鼓泡器或者液体注射器带进工艺炉管内.无论那种情况,这些液体被缓慢加热至略超过室温,这样可以增加局部压力.通入工艺腔的气体应不含水分,这样避免产生聚合物. TEOS 和水汽反应会生成聚合物会逐步降低TEOS的局部压力,进而影响薄膜特征（称为漂移）.

在TEOS 氧化硅工艺中,TEOS 大多是通过惰性气体携带进入650~850℃的工艺腔体内.TEOS 分子会分裂和吸附在晶片表面.临近的乙烷基和烃基会形成稳定的产品,然后从表面热分解成O-SI-O 和副产品.另外,TEOS 自身具备良好的氧原子,添加氧气可以提高反应速率.氮气一般作为携带气体.

这种单一的前驱低压气相沉积氧化工艺相较于LTO 有很多优势,保型的台阶覆盖,较好的质量,纯度更高,回流特性和热稳定性.它的缺点是它是在高温环境(625 - 725 °C)下运行的,不适合于铝衬底.

• 典型薄膜厚度: 0.05 - 3 µm
• 批产能: 50 (18" FLAT ZONE) 或者 100 (34" FLAT ZONE)
• 折射率在 AT 550 nm / 1.41 - 1.46
• 沉积速率: 15-25 nm/min
• 气体: TEOS (99.9999%)/O₂
• 均匀性指标: < 5% 适用于8英寸及以下晶圆I>
• 典型TEOS 温度: 35 - 50 °C
• 典型沉积温度: 625 - 725 °C GRADIENT
• 典型沉积压力: 几托或者更低
• 典型气体流量: 与TYSTAR 工程师确认
• 衬底材料: SILICON, SILICON NITRIDE, III-V SEMICONDUCTORS, AND ETC.

TEOS 低压化学气相沉积主要用于沉积介电材料，隔离层，遮掩层材料和光波导材料的的氧化物。关于更多 TEOS/O₂ 工艺信息，请致电Tel: (310) 781-9219 或发邮件至 sales@tystar.com

低压化学气相沉积工艺

• 超高温氧化炉
• 氮化硅谐振腔
• 通过低压化学气相沉积制备掺杂多晶硅薄膜
• 通过低压化学气相沉积制备多晶硅薄膜 (SiH₄)
• 通过低压化学气相沉积制备多晶硅薄膜 (Si₂H₆)
• 通过低压化学气相沉积制备低温氧化硅薄膜，掺杂低温氧化硅薄膜，硼磷硅玻璃，硼硅玻璃，磷硅玻璃
• 通过低压化学气相沉积制备高温氧化硅薄膜
• 通过低压化学气相沉积制备氧化硅薄膜（正硅酸乙酯）
• 通过低压化学气相沉积制备氮化硅薄膜
• 通过低压化学气相沉积制备低应力氮化硅薄膜
• 化学计量氮化硅薄膜
• 通过低压化学气相沉积制备氮氧化硅薄膜 (SiN_xO_y)
• 通过低压化学气相沉积制备锗硅薄膜 (Si-Ge) LPCVD
• 通过低压化学气相沉积制备半绝缘性多晶硅薄膜（SIPOS)
• 通过低压化学气相沉积制备多晶碳化硅
• 外延硅
• 通过低压化学气相沉积法制备纳米材料