通过低压化学气相沉积制备氮氧化硅薄膜 (SiN_xO_y)

增加笑气到氮化硅工艺中可以制备氮氧化薄膜，它能提供钝化和氮化物的机械性能和低的介电常数以及氧化物的低应力。氮氧化硅薄膜应用于微机电系统和存储器器件和减反射层。它的热膨胀系数和折射率都可以由参数的更改而变化。 例如，折射率可以通过增加氮的比例，增加温度和压力而改变.

• 典型薄膜厚度: 0.1 - 2 µm
• 折射率在: 550 nm / 1.5 - 2.0
• 批产能: 50 (18” 恒温区) OR 100 (34” 恒温区)
• 沉积速率: 1.5 - 8nm/MIN. 15 - 80 Å/MIN.
• 气体: DICHLOROSILANE, AMMONIA, NITROUS OXIDE
• 均匀性指标: < 5%
• 沉积温度: 770 - 910 °C

应用范围：光波导，多种探测和折射，钝化层，减反射摸

低压化学气相沉积工艺

• 超高温氧化炉
• 氮化硅谐振腔
• 通过低压化学气相沉积制备掺杂多晶硅薄膜
• 通过低压化学气相沉积制备多晶硅薄膜 (SiH₄)
• 通过低压化学气相沉积制备多晶硅薄膜 (Si₂H₆)
• 通过低压化学气相沉积制备低温氧化硅薄膜，掺杂低温氧化硅薄膜，硼磷硅玻璃，硼硅玻璃，磷硅玻璃
• 通过低压化学气相沉积制备高温氧化硅薄膜
• 通过低压化学气相沉积制备氧化硅薄膜（正硅酸乙酯）
• 通过低压化学气相沉积制备氮化硅薄膜
• 通过低压化学气相沉积制备低应力氮化硅薄膜
• 化学计量氮化硅薄膜
• 通过低压化学气相沉积制备氮氧化硅薄膜 (SiN_xO_y)
• 通过低压化学气相沉积制备锗硅薄膜 (Si-Ge) LPCVD
• 通过低压化学气相沉积制备半绝缘性多晶硅薄膜（SIPOS)
• 通过低压化学气相沉积制备多晶碳化硅
• 外延硅
• 通过低压化学气相沉积法制备纳米材料