通过低压化学气相沉积制备氮化硅薄膜

氮化硅是一种硬的，致密的材料。它主要用作扩散膜，钝化层，氧化掩膜，刻蚀掩膜，离子注入掩膜，隔离，封装，机械保护，微机电系统结构，介电层，光波导，多核和蚀刻停止层。二氯二氢硅的使用既可以提高均匀性又可以提高刻蚀速率。工艺参数关系如下

• 提高温度可以降低应力
• 增加压力和温度可以增加沉积速率
• 增加沉积速率会降低均匀性

薄膜应力与温度的关系是指炉管的温度梯度不能单纯只依靠从炉口到炉尾的气体消耗而补偿，所以安装了一个罗茨泵以用来提高抽速，这样的话维持特定压力时可以通入更多的气体。增加气体流量可以缓解气体消耗的影响.

为避免氮化硅薄膜出现雾化，当装卸载的时候，需要考虑一些措施来防止NH₄Cl副产品的回流。Tystar 创新型主抽阀可以解决这个问题，当主抽阀关闭时，它允许一个小的氮气流从炉管到泵继续的吹扫.

低压化学气相沉积工艺

• 超高温氧化炉
• 氮化硅谐振腔
• 通过低压化学气相沉积制备掺杂多晶硅薄膜
• 通过低压化学气相沉积制备多晶硅薄膜 (SiH₄)
• 通过低压化学气相沉积制备多晶硅薄膜 (Si₂H₆)
• 通过低压化学气相沉积制备低温氧化硅薄膜，掺杂低温氧化硅薄膜，硼磷硅玻璃，硼硅玻璃，磷硅玻璃
• 通过低压化学气相沉积制备高温氧化硅薄膜
• 通过低压化学气相沉积制备氧化硅薄膜（正硅酸乙酯）
• 通过低压化学气相沉积制备氮化硅薄膜
• 通过低压化学气相沉积制备低应力氮化硅薄膜
• 化学计量氮化硅薄膜
• 通过低压化学气相沉积制备氮氧化硅薄膜 (SiN_xO_y)
• 通过低压化学气相沉积制备锗硅薄膜 (Si-Ge) LPCVD
• 通过低压化学气相沉积制备半绝缘性多晶硅薄膜（SIPOS)
• 通过低压化学气相沉积制备多晶碳化硅
• 外延硅
• 通过低压化学气相沉积法制备纳米材料