通过低压化学气相沉积制备锗硅薄膜 (Si-Ge) LPCVD

锗硅器件比标准硅的运行速度提升了一个数量级，它可以达到3GHz，因此它在无线多媒体器件有广泛的应用市场。锗硅技术是使用异质结够和双极晶体管作为其基本元件。与硅比较起来，锗的电子迁移率较高。通过改良硅加工技术，它可以应用在比较难加工材料和氮化镓器件的工艺上.

锗硅器件要求沉积一层薄的、含有少量的锗的单晶硅。这些硅晶层可以通过外延技术制备，但是相较于常规低压气相沉积设备运行的硅片工艺，它要更加注意因氧残留而产生的沾污问题。商业化的锗硅薄膜沉积要求采用超高真空（UHV）设备的设计概念，设备成本较高。新的Tystar锗硅低压气相沉积设备是基于类似的单晶外延层的热壁沉积设备和几所大学共同开发的，其中低压气相沉积法制备的锗硅薄膜中的的锗浓度可以是0到100%。采用锗硅低压气相沉积设备沉积单晶硅的的设计是在升级低压气相沉积系统后得到的，这样可以改善泄漏率和氧残留.

Tystar 锗硅化学气相沉积系统是新研发出来产品，该产品是基于Tystar的化学气相沉积技术、设备设计和生产制造，也包括气体和蒸汽输送控制系统、工艺控制器和具有良好气体控制设备设计的热壁热反应器.

Tystar锗硅低压气相沉积系统的设计理念是：产能25片/批、衬底可达8/200毫米。Tystar硅-锗LPCVD反应器主要用于研发实验室、试验和小规模生产.

• 沉积温度: 350 - 550 °C
• 典型薄膜厚度: 0.3 μm
• 批产能: 25
• 沉积速率: 7-13nm/MIN. (70 - 130 Å/MIN.)
• 气体: GERMANE (GeH₄), DISILANE (Si₂H₆), SILANE (SiH₄), PHOSPHINE (PH₃), BORON TRICHLORIDE (BCl₃)
• 增加三氯化硼和降低磷烷含量都会影响硅锗前驱气体分解从而降低沉积速率.

应用范围：GHz谐振器、混合信号电路、异质结双极晶体管、CMOS晶体管、热电装置,射频开关和多种现代电子设备.

低压化学气相沉积工艺

• 超高温氧化炉
• 氮化硅谐振腔
• 通过低压化学气相沉积制备掺杂多晶硅薄膜
• 通过低压化学气相沉积制备多晶硅薄膜 (SiH₄)
• 通过低压化学气相沉积制备多晶硅薄膜 (Si₂H₆)
• 通过低压化学气相沉积制备低温氧化硅薄膜，掺杂低温氧化硅薄膜，硼磷硅玻璃，硼硅玻璃，磷硅玻璃
• 通过低压化学气相沉积制备高温氧化硅薄膜
• 通过低压化学气相沉积制备氧化硅薄膜（正硅酸乙酯）
• 通过低压化学气相沉积制备氮化硅薄膜
• 通过低压化学气相沉积制备低应力氮化硅薄膜
• 化学计量氮化硅薄膜
• 通过低压化学气相沉积制备氮氧化硅薄膜 (SiN_xO_y)
• 通过低压化学气相沉积制备锗硅薄膜 (Si-Ge) LPCVD
• 通过低压化学气相沉积制备半绝缘性多晶硅薄膜（SIPOS)
• 通过低压化学气相沉积制备多晶碳化硅
• 外延硅
• 通过低压化学气相沉积法制备纳米材料