超高温氧化炉

大部分宽禁带材料很难热氧化。幸运的是碳化硅能够通过热氧化生长氧化绝缘薄膜材料。这样我们能够借鉴硅工艺应用到碳化硅工艺。虽然两者有相像之处，但是碳化硅氧化需要更高的温度 (1,200 - 1,600 °C)。

Tystar 提供两种不同温度的碳化硅氧化方案，分别对应1,200 – 1,400 °C 和 1,400 – 1,600 °C. 工作温度范围在1,000 – 1,400 °C 区间的设备更具经济性，目前这款水平炉已经推出。高于1400°C 的高温氧化炉目前仍处于研发中，推出在即。欲了解更多详情，请联系我们的工程团队 info@tystar.com.