通过低压化学气相沉积制备多晶硅薄膜 (Si2H6)
相较于硅烷，使用乙硅烷制备多晶硅和非晶硅薄膜具有很多优势，较高的沉积速率，较低的温度，较好的均匀性和平滑性。在低温下生长会留有很多成核位置，所以晶粒较大。这也导致产生很多晶界陷阱，低电阻率和高的载子移动率.
低压化学气相沉积工艺
- 超高温氧化炉
- 氮化硅谐振腔
- 通过低压化学气相沉积制备掺杂多晶硅薄膜
- 通过低压化学气相沉积制备多晶硅薄膜 (SiH4)
- 通过低压化学气相沉积制备多晶硅薄膜 (Si2H6)
- 通过低压化学气相沉积制备低温氧化硅薄膜，掺杂低温氧化硅薄膜，硼磷硅玻璃，硼硅玻璃，磷硅玻璃
- 通过低压化学气相沉积制备高温氧化硅薄膜
- 通过低压化学气相沉积制备氧化硅薄膜（正硅酸乙酯）
- 通过低压化学气相沉积制备氮化硅薄膜
- 通过低压化学气相沉积制备低应力氮化硅薄膜
- 化学计量氮化硅薄膜
- 通过低压化学气相沉积制备氮氧化硅薄膜 (SiNxOy)
- 通过低压化学气相沉积制备锗硅薄膜 (Si-Ge) LPCVD
- 通过低压化学气相沉积制备半绝缘性多晶硅薄膜（SIPOS)
- 通过低压化学气相沉积制备多晶碳化硅
- 外延硅
- 通过低压化学气相沉积法制备纳米材料
