通过低压化学气相沉积制备多晶硅薄膜 (SiH₄)

制备多晶硅最常用的工艺气体是硅烷 (SiH₄).多晶硅薄膜也可以用其他气体制备，如乙硅烷（参考后一项），二氯甲硅烷，三氯甲硅烷。每一种都有自身的优势，这取决于应用范围。多晶硅薄膜也可以进行原位掺杂（使用磷烷，参考磷掺杂多晶硅的制备）.

• 典型薄膜厚度: 0.1 - 2 μm
• 批产能: 50 (18 恒温区) 或者 100 (34 恒温区)
• 沉积速率: 6 - 20 nm/MIN. (60 - 200 Å/MIN.)
• 沉积气体: SILANE SiH₄
• 沉积温度: 580 - 650 °C
• 折射率: 3.5 - 5.5
• 均匀性指标: < 3% USING 1σ
• 残余应力: 50 - 100 MPa

应用范围：MEMS结构层，电阻，MOSFET 栅极，动态记忆元板，沟槽填充，双极性晶体管发射端，光伏电池等.

低压化学气相沉积工艺

• 超高温氧化炉
• 氮化硅谐振腔
• 通过低压化学气相沉积制备掺杂多晶硅薄膜
• 通过低压化学气相沉积制备多晶硅薄膜 (SiH₄)
• 通过低压化学气相沉积制备多晶硅薄膜 (Si₂H₆)
• 通过低压化学气相沉积制备低温氧化硅薄膜，掺杂低温氧化硅薄膜，硼磷硅玻璃，硼硅玻璃，磷硅玻璃
• 通过低压化学气相沉积制备高温氧化硅薄膜
• 通过低压化学气相沉积制备氧化硅薄膜（正硅酸乙酯）
• 通过低压化学气相沉积制备氮化硅薄膜
• 通过低压化学气相沉积制备低应力氮化硅薄膜
• 化学计量氮化硅薄膜
• 通过低压化学气相沉积制备氮氧化硅薄膜 (SiN_xO_y)
• 通过低压化学气相沉积制备锗硅薄膜 (Si-Ge) LPCVD
• 通过低压化学气相沉积制备半绝缘性多晶硅薄膜（SIPOS)
• 通过低压化学气相沉积制备多晶碳化硅
• 外延硅
• 通过低压化学气相沉积法制备纳米材料