通过低压化学气相沉积制备多晶碳化硅

碳化硅因其特有的强度，导热系数和极端环境下的稳定性而成为电子和微机电系统的常用材料.

• 典型膜厚: 0.3 μm
• 批产能: 25
• 沉积速率: 6 - 9nm/MIN. (60 - 90 Å/MIN.)
• 沉积气体: METHYLSILANE, DICHLOROSILANE, HYDROGEN, ACETYLENE, AMMONIA
• 沉积温度: 700 - 900 °C
• 残余应力: 200 - 1400 MPA

一些常用前驱气体包括:

• SiH₄ + C₂H₄
• SiH₂Cl₂ + C₂H₂
• 1,3-Disilabutane
• Methylsilane

NH₃ 通常用于 n-型掺杂 (CH₃)₃Al 用于 p-型. 工艺菜单能够使有机硅在低温下运行的1,3-disilabutane,然而，它有很多缺点，比如价格昂贵，液体和纯度偏低。它的纯度影响工艺，导致工艺的变化. 所以推荐使用甲基硅烷，一些工艺关系如下

• 增大压力范围 0.17 - 1.7 TORR 会增大压力并降低沉积速率.
• 800 °C 左右，薄膜应力最小，沉积速率最大.
• 使用二氯二氢硅替代甲基硅烷可以降低9%的应力.

应用范围: 高温耐化学MEMS，高功率高压器件，钝化层，共鸣器

低压化学气相沉积工艺

• 超高温氧化炉
• 氮化硅谐振腔
• 通过低压化学气相沉积制备掺杂多晶硅薄膜
• 通过低压化学气相沉积制备多晶硅薄膜 (SiH₄)
• 通过低压化学气相沉积制备多晶硅薄膜 (Si₂H₆)
• 通过低压化学气相沉积制备低温氧化硅薄膜，掺杂低温氧化硅薄膜，硼磷硅玻璃，硼硅玻璃，磷硅玻璃
• 通过低压化学气相沉积制备高温氧化硅薄膜
• 通过低压化学气相沉积制备氧化硅薄膜（正硅酸乙酯）
• 通过低压化学气相沉积制备氮化硅薄膜
• 通过低压化学气相沉积制备低应力氮化硅薄膜
• 化学计量氮化硅薄膜
• 通过低压化学气相沉积制备氮氧化硅薄膜 (SiN_xO_y)
• 通过低压化学气相沉积制备锗硅薄膜 (Si-Ge) LPCVD
• 通过低压化学气相沉积制备半绝缘性多晶硅薄膜（SIPOS)
• 通过低压化学气相沉积制备多晶碳化硅
• 外延硅
• 通过低压化学气相沉积法制备纳米材料