通过低压化学气相沉积制备低应力氮化硅薄膜
低应力氮化一般采用DCS 和NH3 高流量比（典型 ~6）这种富硅沉积可以得到非常低的拉应力，该应力一般取决于气体混合比例和工艺温度。工艺压力通常是几托或者更低，增加压力和工艺温度会升高沉积速率但会降低均匀性.
应用范围：MEMS 结构，扩散缓冲层，钝化层，氧化掩膜，刻蚀掩膜，离子注入掩膜，隔离层，封装，机械保护，栅极介电层，光波导，化学机械研磨和蚀刻停止层
- 典型薄膜厚度: 0.1-2 µm
- 批产能: 50 (18" 恒温区) 或 100 (34" 恒温区)
- 折射率在 550nm/ 2.0-2.3
- 沉积速率: 3-4.5nm/MIN
- 气体: DCS, NH3
- 均匀性指标: < 5%
- 应力: 50-300 MPa
- 沉积温度: 800 – 840 ◦C 均匀分布
低压化学气相沉积工艺
- 超高温氧化炉
- 氮化硅谐振腔
- 通过低压化学气相沉积制备掺杂多晶硅薄膜
- 通过低压化学气相沉积制备多晶硅薄膜 (SiH4)
- 通过低压化学气相沉积制备多晶硅薄膜 (Si2H6)
- 通过低压化学气相沉积制备低温氧化硅薄膜，掺杂低温氧化硅薄膜，硼磷硅玻璃，硼硅玻璃，磷硅玻璃
- 通过低压化学气相沉积制备高温氧化硅薄膜
- 通过低压化学气相沉积制备氧化硅薄膜（正硅酸乙酯）
- 通过低压化学气相沉积制备氮化硅薄膜
- 通过低压化学气相沉积制备低应力氮化硅薄膜
- 化学计量氮化硅薄膜
- 通过低压化学气相沉积制备氮氧化硅薄膜 (SiNxOy)
- 通过低压化学气相沉积制备锗硅薄膜 (Si-Ge) LPCVD
- 通过低压化学气相沉积制备半绝缘性多晶硅薄膜（SIPOS)
- 通过低压化学气相沉积制备多晶碳化硅
- 外延硅
- 通过低压化学气相沉积法制备纳米材料
