通过低压化学气相沉积制备高温氧化硅薄膜
高温氧化薄膜是使用笑气和二氯二氢硅来制备的。薄膜质量和热氧化工艺类似，但是它不消耗硅衬底.
- 典型薄膜厚度: 0.45 μm
- 批产能: 50
- 沉积速率: 5-10 nm/MIN. (50 - 100 Å/MIN.)
- 沉积气体: DICHLOROSILANE, NITROUS OXIDE
- 沉积温度: 800 - 900 °C
- 折射率: 1.45 - 1.47
应用范围: 闪存, 浅沟槽隔离，墙间隔区，多晶硅层间介电层
低压化学气相沉积工艺
- 超高温氧化炉
- 氮化硅谐振腔
- 通过低压化学气相沉积制备掺杂多晶硅薄膜
- 通过低压化学气相沉积制备多晶硅薄膜 (SiH4)
- 通过低压化学气相沉积制备多晶硅薄膜 (Si2H6)
- 通过低压化学气相沉积制备低温氧化硅薄膜，掺杂低温氧化硅薄膜，硼磷硅玻璃，硼硅玻璃，磷硅玻璃
- 通过低压化学气相沉积制备高温氧化硅薄膜
- 通过低压化学气相沉积制备氧化硅薄膜（正硅酸乙酯）
- 通过低压化学气相沉积制备氮化硅薄膜
- 通过低压化学气相沉积制备低应力氮化硅薄膜
- 化学计量氮化硅薄膜
- 通过低压化学气相沉积制备氮氧化硅薄膜 (SiNxOy)
- 通过低压化学气相沉积制备锗硅薄膜 (Si-Ge) LPCVD
- 通过低压化学气相沉积制备半绝缘性多晶硅薄膜（SIPOS)
- 通过低压化学气相沉积制备多晶碳化硅
- 外延硅
- 通过低压化学气相沉积法制备纳米材料
