通过低压化学气相沉积制备掺杂多晶硅薄膜

掺杂工艺例如反应气体增加磷烷和三氯化硼气体可以改变晶硅导电率和应力。掺杂多晶硅需要使用笼型舟这样可以得到更好的均匀性。加入磷烷可以使多晶硅沉积速率减小，而掺入硼则会增加多晶硅沉积速率。原位掺杂可以通过多步工艺步骤得到较好的厚度均匀性，它也是在低温环境下沉积的。它的缺点包括工艺复杂，厚度均匀性差，增加炉管清洗的难度。粗晶粒多晶硅可以达到细晶粒掺杂不能达到的程度.

应用范围：多晶硅可以用于电阻器，场效应管栅极，基于氢化非晶硅的薄膜电阻，动态记忆元板，沟槽填充，双极性晶体管发射器。掺杂多晶硅的传导性能足以应用于内部链接，静电器件，压阻电敏应变器。多晶硅（尤其是掺杂多晶硅）在MEMS 领域经常被用作结构材料.