低压化学气相沉积工艺
LPCVD是指在低于大气压状态下由前驱物沉积薄膜的热工艺。在典型状态下沉积速率取决于表面反应速率，也就是与温度有关。温度能够被精确控制从而得到良好的片内，片间和批间均匀性。Tystar在下列LPCVD工艺中有多年的经验，其专业水平在业界享誉盛名:
- 超高温氧化炉
- 氮化硅谐振腔
- 通过低压化学气相沉积制备掺杂多晶硅薄膜
- 通过低压化学气相沉积制备多晶硅薄膜 (SiH4)
- 通过低压化学气相沉积制备多晶硅薄膜 (Si2H6)
- 通过低压化学气相沉积制备低温氧化硅薄膜，掺杂低温氧化硅薄膜，硼磷硅玻璃，硼硅玻璃，磷硅玻璃
- 通过低压化学气相沉积制备高温氧化硅薄膜
- 通过低压化学气相沉积制备氧化硅薄膜（正硅酸乙酯）
- 通过低压化学气相沉积制备氮化硅薄膜
- 通过低压化学气相沉积制备低应力氮化硅薄膜
- 化学计量氮化硅薄膜
- 通过低压化学气相沉积制备氮氧化硅薄膜 (SiNxOy)
- 通过低压化学气相沉积制备锗硅薄膜 (Si-Ge) LPCVD
- 通过低压化学气相沉积制备半绝缘性多晶硅薄膜（SIPOS)
- 通过低压化学气相沉积制备多晶碳化硅
- 外延硅
- 通过低压化学气相沉积法制备纳米材料
