厚膜热氧化
光波导器件要求厚度(> 10 µm)均匀和折射率均匀的氧化硅薄膜。Tystar 多年以来一直为这些应用领域提供工艺技术。在半导体器件应用中经常使用的技术是火焰式氧化工艺，使氢气和氧气在炉管内或炉管外的容器内燃烧生成水蒸气用于氧化工艺。典型的氧化工艺温度超过1100 °C并且氧化时间需要几天到几周的时间来满足厚度方面的需求。Tystar 推荐的氧化方式是采用的一个持续纯水供应系统结合液体流量控制器和闪蒸器的方式。液体流量控制器可控制的范围最大可达10 立方厘米每分钟。通入4立方厘米每分钟的纯水可以得到5升每分钟的气体。
下面使用TYTAN 2000 系统生产8"/200 mm硅片生长约15 μm厚膜时得到的硅片数据:
- 膜厚均匀性< +/- 1%, 2Σ, 片内，片间，批间
- 折射率均匀性: 优于 +/- 1 X 10-4, 2Σ
- 颗粒密度: 2 > 0.25 mm for a 5 hour process.
