POCL3 或 BBR3 液态源扩散 在这些工艺中,氮气携带液态源进入工艺炉管内,在炉管内和氧气反应生产硼化玻璃或磷化玻. 从而将杂质扩散到硅片内. 表面电阻: 1-100 Ω/□ 批产能: 18英寸恒温区产能100片;34英寸恒温区产能200片 气体: NITROGEN, OXYGEN 均匀性指标: < 10% 常压化学气相沉积工艺 超高温氧化炉 氧化硅谐振腔 湿法氧化 带有二氯乙烯清洗的干法氧化 厚膜热氧化 固态源扩散 POCL3 或 BBR3 液态源扩散 退火 通过低压化学气相沉积法制备纳米材料