带有二氯乙烯清洗的干法氧化
干法氧化相较于湿法氧化工艺反应速度慢，主要是因为氧化反应时氧气通过氧化硅层进入到硅/氧化物界面时速度较慢。它可以用来制备致密的无针孔的氧化物，所以优先用于生长栅氧化层和表面钝化。比如用于氮化硅压力缓冲的氧化膜，离子注入时的屏蔽氧化层，用于表面缺陷处理的牺牲层，用于浅沟槽绝缘的氧化层。二氯乙烯是一种氯的无臭氧消耗物质用于清除移动的金属离子沾污以削减对栅氧化层的破坏。另外它还可以提高百分之几的氧化工艺的生长速率。
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典型膜厚:
- 10 nm to 0.5 μm
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批产能:
- 18英寸恒温区产能100片
- 34英寸恒温区产能200片
- 氧化速率: 标准速率- 迪尔格罗夫氧化模型
- 反应气体: Oxygen, TLC (C2H2Cl2)
- 氧化温度: 800 - 1250 °C
- 折射率: 1.45 - 1.47 at 550 nm
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均匀性指标:
- < 5% 1σ for thickness of 100 to 500 Å
- < 3% 1σ for thickness > 500 Å
应用范围: 栅极氧化，表面钝化，氮化物应力阻挡，牺牲层和氧化层等
注意：工艺温度超过1,150 °C需要使用碳化硅悬臂桨，舟和管衬.
