常压化学气相沉积工艺 TYTAN 炉系统可以用于半导体行业各种常规的常压工艺。工艺可以在1150℃以上使用,要求使用厚壁的石英炉管,碳化硅管衬,碳化硅舟和碳化硅悬臂杆。 超高温氧化炉 氧化硅谐振腔 湿法氧化 带有二氯乙烯清洗的干法氧化 厚膜热氧化 固态源扩散 POCL3 或 BBR3 液态源扩散 退火 通过低压化学气相沉积法制备纳米材料 Click here to view Tystar's Catalog