光增强型化学气相沉积反应器
Tystar PVD1000光增强型化学气相沉积反应器采用紫外线作为能源, 在低温条件（<150ºC）下激发工艺气体实现介质薄膜沉积. 该设备可用于沉积二氧化硅薄膜（SiO2）、氮化硅薄膜（Si3N4）、氮氧化硅薄膜（SiON）和其它薄膜. 由于沉积温度较低从而得到低应力薄膜. 由于所使用的UV光子能量并没有将工艺气体电离, 避免因带电粒子而造成的辐射损伤.
One of the characteristics of a good semiconductor film, alongside sparsity of pin holes, is conformal step coverage. A smooth and conformal film similar to the SiO2 film in the SEM image shown above ensures minimal electromigration and resistant pathways. This is one of the benefits of using a PVD-1000 system in thin film deposition.
PVD1000沉积膜提供了良好的阶梯覆盖率. PVD1000系统可选择单腔室和双腔室结构。 PVD1000反应器适用于多种“III/V”族衬底材料上的薄膜沉积, 如砷化镓、锑化铟和其它的材料, 这些材料均不能承受较高的沉积温度。
