低压化学气相沉积工艺

wafers

LPCVD是指在低于大气压状态下由前驱物沉积薄膜的热工艺。在典型状态下沉积速率取决于表面反应速率,也就是与温度有关。温度能够被精确控制从而得到良好的片内,片间和批间均匀性。Tystar在下列LPCVD工艺中有多年的经验,其专业水平在业界享誉盛名:




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► 通过低压化学气相沉积制备掺杂多晶硅薄膜和非晶硅

► 通过低压化学气相沉积制备多晶硅薄膜 (SiH4)

► 通过低压化学气相沉积制备多晶硅薄膜 (Si2H6)

► 通过低压化学气相沉积制备低温氧化硅薄膜,掺杂低温氧化硅薄膜,硼磷硅玻璃,硼硅玻璃,磷硅玻璃

► 通过低压化学气相沉积制备高温氧化硅薄膜

► 通过低压化学气相沉积制备氧化硅薄膜(正硅酸乙酯)

► 通过低压化学气相沉积制备氮化硅薄膜

► 通过低压化学气相沉积制备锗硅薄膜 (Si-Ge)

► 通过低压化学气相沉积制备半绝缘性多晶硅薄膜(SIPOS)

► 通过低压化学气相沉积制备多晶碳化硅

► 外延硅

► 通过低压化学气相沉积法制备纳米材料